公司凝聚了素质高、技能强、深谙物流管理的人才,拥有经过专业培训的装卸队伍,积累了丰富的实践管理经验并提供良好的服务。
当前位置:主页 > 公司公告 >
公司公告
二维GeSe2面内各向异性及短波偏振光勘探研讨
来源:未知 作者:admin 发布时间:2018-09-15 15:47 浏览量:

  二维GeSe2面内各向异性及短波偏振光勘探研讨

  

作为一种新式的二维半导体资料,黑磷因其一起的面内各向异性引起了研讨人员的广泛重视。近期,几种其它面内各向异性二维资料(如ReS2、ReSe2;SnS、GeSe等)也被相继报导。此类资料一起的面内各向异性使其差异于以往的石墨烯、MoS2等面内各向同性二维资料,体现出特别的电学、光学、机械和热学功能,并被成功使用于集成电路中的反相器、根据晶向的二极管、人工突触和偏振光光电勘探器等器材中。其间,偏振光勘探因为在通信中的重要位置,被认为是近年来十分有发展潜力的一个研讨范畴。现在,根据黑磷、ReS2、GeSe等面内各向异性资料的偏振光勘探虽功能优异,但因上述资料带隙均较小(< 2 eV),在进行短波段光偏振勘探时还需杂乱及贵重的光学系统将其抱负的光探规模调至短波段。

  

【效果简介】

  

近期,中国科学院化学研讨所胡劲松研讨员课题组与北京大学张耿民教授课题组等协作提出一种具有较宽带隙的面内各向异性资料—GeSe2 (2.74 eV)。研讨人员首要经过理论核算研讨了GeSe2沿面内的能带结构,其在x方向和y方向的空穴有用质量分别为?0.755 m0和?1.562 m0,从理论上证明了其面内各向异性。然后,经过角分辩拉曼光谱和角分辩电导测验,显现了其明显的面内振荡和电导各向异性。随后,根据单个GeSe2纳米片构筑了光电勘探器。在不同方向的450 nm偏振光照射下体现出明显的光电流差异,体现了该资料在短波区域优异的偏振光勘探功能。最终,经过试验和DFT理论核算标明GeSe2具有较高的吸附氧活化能(2.12 eV;远高于黑磷的0.71 eV),因此体现优异的空气稳定性。该研讨效果以“Air-Stable In-Plane Anisotropic GeSe2 for Highly Polarization-Sensitive Photodetection in Short Wave Region”为题宣布在Journal of the American Chemical Society期刊上。博士研讨生杨雨思和刘顺利为一起榜首作者,薛丁江副研讨员为一起通讯作者。该作业刚刚上线后即遭到《物理化学学报》的重视,以《二维GeSe2面内各向异性及短波偏振光勘探研讨》为题在该学报以“亮点”方式进行了专题报导 (Acta Phys.–Chim Sin., 2018, DOI: 10.3866/PKU.WHXB201803142)。

  

图1 GeSe2纳米片资料表征

  

二维GeSe2面内各向异性及短波偏振光勘探研讨

  

(a) 胶带剥离GeSe2薄片的AFM图画

  

(b) 不同厚度GeSe2纳米片的拉曼光谱

  

(c) GeSe2纳米片的SAED图画

  

(d) GeSe2纳米片的HRTEM图画

  

图2 GeSe2晶体结构各向异性

  

二维GeSe2面内各向异性及短波偏振光勘探研讨

  

(a) GeSe2晶体结构侧视图

  

(b) GeSe2晶体结构俯视图

  

(c) GeSe2三维布里渊区示意图

  

(d) GeSe2能带结构图

  

图3 GeSe2振荡和电导各向异性

  

二维GeSe2面内各向异性及短波偏振光勘探研讨

  

(a) GeSe2角分辩电导测验器材的光学相片

  

(b) GeSe2角分辩拉曼光谱

  

(c) GeSe2角分辩拉曼强度的极坐标图

  

(d) 角分辩归一化电导的极坐标图

  

图4 GeSe2光学各向异性及偏振光探功能表征

  

二维GeSe2面内各向异性及短波偏振光勘探研讨

  

(a) GeSe2纳米片的吸收光谱

  

(b) GeSe2纳米片的禁带宽度拟合曲线

  

(c) GeSe2层内x和y方向的理论吸收光谱

  

(d) GeSe2角分辩吸收光谱

  

(e) GeSe2光电勘探器示意图

  

(f) 不同方向线偏振光下角分辩归一化光电流的极坐标图

  

图5 GeSe2稳定性表征

  

二维GeSe2面内各向异性及短波偏振光勘探研讨

  

(a) 新剥离GeSe2的AFM图画

  

(b) 空气中放置30天后GeSe2的AFM图画

  

(c) 新剥离GeSe2的Raman面扫图画

  

(d) 空气中放置30天后GeSe2的Raman面扫图画

  

(e) 氧分子在黑磷上的物理和化学吸附进程

  

(f) 氧分子在GeSe2上的物理和化学吸附进程

  

【小结】

  

本文提出一种具有较宽带隙的面内各向异性资料—GeSe2 (2.74 eV),经过理论核算和试验系统研讨了该资料的面内结构、振荡、电学和光学各向异性性质,并根据其光学吸收各向异性构筑了新式GeSe2偏振光光电勘探器,初次报导了其在短波段光偏振勘探方面的使用。因为杰出的功能和空气稳定性,GeSe2偏振光勘探器展现出杰出的使用远景。

  

   二维GeSe2偏振光勘探半导体资料

Copyright © 2013 尊龙用现金娱乐一下,尊龙人生就是博旧版,尊龙娱乐人生就是博,尊龙d88.com All Rights Reserved 网站地图